― 卒 研 生 と 共 に ―

研究所外の大学より受け入れた30名を越す卒研生のうち、20数名の方々がわれわれのグループでエサキダイオード(E.D.)の研究に取り組まれ、大きな戦力となった。E.D. 研究グループの何人かは、やがて「半導体部品研究室」でGaAsを中心とした「ミリ波」,「準ミリ波」,「マイクロ波」デバイス研究の中心的メンバーとなっていく。
 ここでは、主として昭和38年の時点でE.D. の研究を行っていたこのグループのメンバーとそれに協力していた卒研生との組み合わせを示しておく。


T.I. 研究所員
K.H.卒研生

H.N.研究所員
Y.I.卒研生

K.S.研究所員
T.T.卒研生
 T.I.はグループを統括すると共に、学会活動も活発に行っていた。K.H.はE.D.特性の加圧による変化について詳細な検討を行い、新たな知見を得た。
 H.S.はGeおよびGaAs E.D.について特性の経時変化を詳しく検討した。とくにGaAs E.D.の劣化機構の解明に独創的な知見を与えた。M.O.はGe E.D.の作成条件とE.D.の温度特性との関連について検討し、物性的に興味ある結果を得た。
 H.N.はE.D.の特性測定法の確立に大きな貢献をした。また、結晶欠陥とE.D.特性との関連についても興味深いデータを得た。
 M.U.はE.D.の加圧効果測定器の作製やGaAs E.D.の製法と特性解析に当り、卓越したアイデアを発揮した。
 K.S. はGe E.D.の製法に当り、優れたアイデアを発揮し、研究室内でE.D.の量産を可能にした。
 T.M.は多量のE.D.試料につき、地道なライフテストを実行しE.D.の実用性を確認した。

H.S.研究所員
M.O.卒研生

M.U.研究所員
T.K.卒研生

T.M.研究所員
R.S.卒研生
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約40年前のE.D.研究の仲間たち