順方向通電による
Ge E.D.の特性変化例

GeおよびGeAs E.D.の通電電流によるピーク電流の変化
(高性能指数ダイオードの場合,常温通電)

　超高周波・超高速新素子として期待されたエサキダイオードの通信方式への導入は、PCM-24ch方式用やマイクロ波帯増幅用のみならずミリ波発振源としての要望も大きなものがあった。公衆通信回線への新電子部品の導入に当っては、高度な信頼性が要求され、それが実証されねばならなかった。我々は、GeおよびGaAsエサキダイオード（E.D.）について、種々の条件で詳しい信頼性の検討を行った。この目的で、GeおよびGaAs E.D.の製作条件も含めた幅広い研究を進め、我が国でこの分野の指導的役割を果たした。こうしたE.D.の安定性に関する研究結果の一部は、例えば次の論文に纏めてある。今井哲二・佐藤秀吉・宮嶋多喜男：ゲルマニウムエサキダイオード特性の経時変化,研究実用化報告第14巻第9号 pp.1973-1994(1965)
ここに示した劣化特性の図についても、上記論文に詳述してある。ここではこれらの図の説明は一切省略する。

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GaAs E.D.の
特性変化例
(IF /Ｃ≒７mA/pFの場合)

順方向通電によるピーク電流の減少
(高性能指数GeおよびGeAs E.D.の例,常温通電)